Nidec 常溫晶片接合工具裝置

開(kāi)啟接合工藝新天地的常溫晶片接合裝置

兩枚晶片在常溫下牢固接合……這種夢(mèng)幻般的接合方式就是通過(guò)表面活化實(shí)現(xiàn)常溫接合。

通過(guò)常溫（室溫）工藝可以獲得與母材相當(dāng)?shù)恼澈蠌?qiáng)度。

由于不會(huì)因接合而產(chǎn)生熱應(yīng)變和熱應(yīng)力，因此容易應(yīng)對(duì)小型化，且器件質(zhì)量穩(wěn)定。

因?yàn)椴恍枰訜?冷卻時(shí)間，所以可以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量。

可以連接多種材料。此外，可以連接不同的材料。

特點(diǎn)

高效的生產(chǎn)流程工藝　高粘合強(qiáng)度

產(chǎn)品咨詢(xún)

產(chǎn)品信息

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產(chǎn)品信息

基本信息

 MWB-04 / 06-RMWB-04 / 06 / 08-AXMWB-08 / 12-ST

產(chǎn)品圖片

處理單元1個(gè)關(guān)節(jié)10個(gè)關(guān)節(jié)5套（最多）

晶圓尺寸100mm / 150mm100mm / 150mm / 200mm300mm / 200mm

駕駛模式半自動(dòng)全自動(dòng)/半自動(dòng)全自動(dòng)/半自動(dòng)

層壓精度± 2 μm（我們的實(shí)際值（注1））± 2 μm（我們的實(shí)際值（注1））± 2 μm（我們的實(shí)際值（注1））

表面活化離子槍離子槍/FAB槍氬快原子束

壓焊機(jī)構(gòu)高達(dá) 20kN高達(dá) 100kN施加載荷 200kN

結(jié)盟紅外線(xiàn)透射/反射法紅外線(xiàn)透射/反射法紅外線(xiàn)透射/反射法

真空室接合室10-6 Pa 單位接合室10-6 Pa 單位1.0 × 10-5 Pa 單位

公用事業(yè)氬氣、氮?dú)?、壓縮空氣氬氣、氮?dú)狻嚎s空氣氬氣、氮?dú)?、壓縮空氣

電源（200V、100V）電源（200V、100V）電源（200V、100V）

(注 1) 實(shí)際值數(shù)據(jù)并非保證值。

產(chǎn)品特征

常溫接合廣泛用于以下幾類(lèi)：

晶片級(jí)封裝

特別對(duì)于MEMS和晶體器件，我們可以通過(guò)無(wú)熱變形的封裝來(lái)提高器件質(zhì)量并降低成本。

功能性晶片的制造

通過(guò)接合不同材料的裸晶片，可以制造出各種功能性晶片。

直接接合的應(yīng)用

不使用樹(shù)脂、合金等中間材料，直接接合，因此器件特性得到改善。

此外，中間材料的成本可以降低到零。

晶片堆疊

可以將硅通孔 (TSV) 的晶片多層接合，從而用于制造 3D 集成器件。

不加熱，可確保器件的可靠性。

此外，由于沒(méi)有熱變形，可以將器件的內(nèi)應(yīng)力降至。

引進(jìn)設(shè)備的優(yōu)勢(shì)：

通過(guò)無(wú)熱變形的接合大大提高了產(chǎn)量。

由于可以接合各種類(lèi)型的材料，因此大大擴(kuò)展了器件設(shè)計(jì)的自由度。

由于沒(méi)有熱變形，器件可以做得更小更薄，并且可以提高每枚晶片的產(chǎn)量。

強(qiáng)接合可限度減少接合面積并提高每枚晶片的產(chǎn)量。

由于是直接接合，因此無(wú)需使用樹(shù)脂或金屬作為中間材料，可以降低成本。

無(wú)需特殊的實(shí)用程序，并且可以將運(yùn)行成本保持在較低水平。

沈陽(yáng)漢達(dá)森YYDS邊慶杰

Nidec 常溫晶片接合工具裝置